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2N7002E-T1
 型號:  2N7002E-T1
 標記/絲印/代碼/打字:  7ES
 廠家:  SILICONIX
 封裝:  SOT-23/SC-59
 批號:  05+
 庫存數量:  3000
 所屬分類:  場效應管FET
  MOSFET-N溝道MOSFET N-Channel
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2N7002E-T1 7ES 的參數

最大源漏極電壓Vds Drain-Source Voltage 60V
最大柵源極電壓Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏極電流Id Drain Current 240mA/0.24A
源漏極導通電阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.2 @250mA,10V
開啟電壓Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) High density cell design for low RDS(ON). Suitable for high packing density.
描述與應用 表面貼裝 N溝道增強型場效應晶體管 特性 N溝道增強型場效應晶體管 小型表面貼裝型。 (SC-70/SOT-323) 高密度單元設計的低漏源導通電阻)。 適用于高包裝密度。
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型號 標記/絲印/代碼 廠家 批號 封裝 數量 描述 詳細資料
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