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熱門查詢： BAS70-07S SC70-4 J175 3.0SMCJ24A-13 1070 EP10LA03 MA2J11 P6SMB91AT3 B560C-13 18J
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NE5520379A
 型號：  NE5520379A
 標記/絲印/代碼/打字：  A3
 廠家：  NEC
 封裝：  SOT86/79A
 批號：  06NOPB
 庫存數量：  0
 所屬分類：  場效應管FET
  MOSFET-N溝道MOSFET N-Channel
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NE5520379A A3 的參數
最大源漏極電壓Vds Drain-Source Voltage 15V
最大柵源極電壓Vgs(±) Gate-Source Voltage 5V
最大漏極電流Id Drain Current 1.5A
源漏極導通電阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
開啟電壓Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications NEC's NE5520379A is an N-Channel silicon power MOSFET specially designed as the transmission power ampli?er for 3.2 V GSM900 handsets. Die are manufactured using NEC's NEWMOS technology (NEC's 0.6 μm WSi gate lateral MOSFET) and housed in a surface mount package. This device can deliver 35.5 dBm output power at 915 MHz and 3.2 V, or 34.6 dBm output power at 2.8 V by varying the gate voltage as a power control function. ? LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE ? HIGH OUTPUT POWER: +35.5 dBm TYP ? HIGH LINEAR GAIN: 16 dB TYP @ 915 MHz ? HIGH POWER ADDED EFFICIENCY: 65% TYP @ VDS = 3.2 V, f = 915 MHz ? SINGLE SUPPLY: 2.8 to 6.0 V ? CLASS AB OPERATION ? SURFACE MOUNT PACKAGE: 5.7x5.7x1.1 mm MAX
描述與應用 NEC的3.2 V，W，L/ S頻段中功率硅LD-MOSFET ?低成本塑料表面裝載包裝 ?高輸出功率：+35.5 dBm（典型值） ?高線性增益：16 dB（典型值）@915 MHz ?高功率附加效率：65％TYP@ VDS= 3.2 V，F =915兆赫 ?單電源：2.8到6.0 V ?AB類操作 ?表面貼裝包裝：5.7x5.7x1.1 mm最大
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型號 標記/絲印/代碼 廠家 批號 封裝 數量 描述 詳細資料
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