關鍵字:

查詢類型:型號  廠家  標記/絲印/代碼  封裝 

熱門查詢: BAS70-07S SC70-4 J175 3.0SMCJ24A-13 1070 EP10LA03 MA2J11 P6SMB91AT3 B560C-13 18J
  公司簡介 經營品牌 產品搜索 在線商城 聯系方式  
             

產品目錄

 二極管Diodes (14233)
 三極管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10351)
 場效應管FET (3748)
 電阻Resistor (4118)
 集成電路ICIntegrated Circuit(IC) (3405)
 電源管理ICPower Management IC/PMIC (7287)
 電感Inductor/Coil/Choke (5938)
 電容Capacitor (1605)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振濾波Crystal Oscillator and Filter (1400)
 未分類 (1991)
 保險管FUSE (978)
 測試點Test Point (82)
 晶優晶振 (165)
 標記 (454)
 連接器 (39)
 衰減器Attenuator (19)
 可控硅/晶閘管Triac/Thyristor,SCR (225)
 晶振 (4)
 晶振濾波 (8)
 編碼器Switch (61)
 光電器件Optoelectronic (51)
 測試點 (3)
 極管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 片式天線 (14)
 集成電 (1)
 場效應管 (1)
 NATIONAL (1)
 電阻 (1)
 模塊 (1)
 電源管理IC (1)
 三極管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三極管 (1)
  
NE5520379A
 型號:  NE5520379A
 標記/絲印/代碼/打字:  A3
 廠家:  NEC
 封裝:  SOT86/79A
 批號:  06NOPB
 庫存數量:  0
 所屬分類:  場效應管FET
  MOSFET-N溝道MOSFET N-Channel
 技術文檔PDF:  在線閱讀
   
 在線購買  

NE5520379A A3 的參數

最大源漏極電壓Vds Drain-Source Voltage 15V
最大柵源極電壓Vgs(±) Gate-Source Voltage 5V
最大漏極電流Id Drain Current 1.5A
源漏極導通電阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
開啟電壓Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications NEC's NE5520379A is an N-Channel silicon power MOSFET specially designed as the transmission power ampli?er for 3.2 V GSM900 handsets. Die are manufactured using NEC's NEWMOS technology (NEC's 0.6 μm WSi gate lateral MOSFET) and housed in a surface mount package. This device can deliver 35.5 dBm output power at 915 MHz and 3.2 V, or 34.6 dBm output power at 2.8 V by varying the gate voltage as a power control function. ? LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE ? HIGH OUTPUT POWER: +35.5 dBm TYP ? HIGH LINEAR GAIN: 16 dB TYP @ 915 MHz ? HIGH POWER ADDED EFFICIENCY: 65% TYP @ VDS = 3.2 V, f = 915 MHz ? SINGLE SUPPLY: 2.8 to 6.0 V ? CLASS AB OPERATION ? SURFACE MOUNT PACKAGE: 5.7x5.7x1.1 mm MAX
描述與應用 NEC的3.2 V,W,L/ S頻段中功率硅LD-MOSFET ?低成本塑料表面裝載包裝 ?高輸出功率:+35.5 dBm(典型值) ?高線性增益:16 dB(典型值)@915 MHz ?高功率附加效率:65%TYP@ VDS= 3.2 V,F =915兆赫 ?單電源:2.8到6.0 V ?AB類操作 ?表面貼裝包裝:5.7x5.7x1.1 mm最大
技術文檔PDF下載 在線閱讀

 

 相關型號列表

型號 標記/絲印/代碼 廠家 批號 封裝 數量 描述 詳細資料
NE663M04 T80 JAT 05+ SOT-343 2200 標記 查看
2SD1306NE NE HITACHI 05+ SOT-23/SC-59/MPAK 0 三極管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
2SD1306NE NE HITACHI 05+ SOT-23/SC-59/MPAK 2600 三極管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
ANCG1826MDNE016RD1 MURATA 07NOPB SOT 3000 未分類 查看
C8BBPH853025(0NE0116TQ) JAT 05+ 2(4532)長 6000 未分類 查看
CFC31D601NE MARUWA 05+ 1206-601 9000 磁珠Ferrite Bead-磁珠Ferrite Bead 查看
CIM21J800NE SAMSUNG 05+ 0805-800 3500 磁珠Ferrite Bead-磁珠Ferrite Bead 查看
CIS41P600NE SAMSUNG 05+ 4516-60R 0 磁珠Ferrite Bead-其它Other 查看
NE32584C-T1 D NEC 05+ + 0 場效應管FET-MESFET-N溝道MESFET N-Channel 查看
NE34018 V64 NEC 05+ sot-343/sc70-4 0 場效應管FET-MOSFET-N溝道MOSFET N-Channel 查看
NE3503M04 75 NEC 05+ SOT-343 0 場效應管FET-結型(JFET)-N溝道JFET N-Channel 查看
NE38018-T1 V68 NEC 05+ SOT-343 1700 場效應管FET-結型(JFET)-N溝道JFET N-Channel 查看
NE650R479A-T1 NEC 05+ 79A 0 場效應管FET-MESFET-N溝道MESFET N-Channel 查看
NE650R479A-T1 TB NEC 05+ 79A 3000 場效應管FET-MESFET-N溝道MESFET N-Channel 查看
NE6510179A-T1 TI NEC 06+ROHS 79A 21 場效應管FET-MESFET-N溝道MESFET N-Channel 查看
NE76088 NEC 05+ + 0 未分類 查看
NE76088 A NEC 05+ 十字架 70 未分類 查看
nesg2021m05-t1 T1G NEC 06+NOPB sot-343 0 三極管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
NESG2101M05 TI NEC 06+NOPB SOT-343 0 三極管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
NESG2101M05 TI NEC 06NOPB SOT-343 0 三極管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看

 

  公司簡介 經營品牌 產品搜索 在線商城 聯系方式  
             
             
深圳市新亞洲電子市場茂業電子商行
公司地址: 深圳市福田區中航路新亞洲電子商城1C035房 電話: 0755-88869068(4線)
企業QQ: 800036813 點擊這里給我發消息 傳真: 0755-61306100
電子郵箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粵ICP備12037407號


營業執照

丝瓜视频成人在线观看,丝瓜视频导航,丝瓜视频二维码,丝瓜视频二维码下载