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KST14
 型號:  KST14
 標記/絲印/代碼/打字:  1N
 廠家:  SAMSUNG
 封裝:  SOT-23/SC-59
 批號:  05+
 庫存數量:  3000
 所屬分類:  三極管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  達林頓Darlington
    NPN
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KST14 1N 的參數

集電極-基極反向擊穿電壓V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集電極-發射極反向擊穿電壓V(BR)CEO Collector-EmitterVoltage(VCEO) 30V
集電極連續輸出電流IC Collector Current(IC) 300mA/0.3A
截止頻率fT Transtion Frequency(fT) 125MHz
直流電流增益hFE DC Current Gain(hFE) 10000 @ 5V,0.1A
管壓降VCE(sat) Collector-Emitter SaturationVoltage 1.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications ? Darlington Amplifier Transistor
描述與應用 ?達林頓晶體管放大器
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型號 標記/絲印/代碼 廠家 批號 封裝 數量 描述 詳細資料
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