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熱門查詢: BAS70-07S SC70-4 J175 3.0SMCJ24A-13 1070 EP10LA03 MA2J11 P6SMB91AT3 B560C-13 18J
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2SK2158
 型號:  2SK2158
 標記/絲印/代碼/打字:  G23
 廠家:  NEC
 封裝:  SOT-23/SC-59
 批號:  09nopb
 庫存數量:  0
 所屬分類:  場效應管FET
  MOSFET-N溝道MOSFET N-Channel
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2SK2158 G23 的參數

最大源漏極電壓Vds Drain-Source Voltage 50V
最大柵源極電壓Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏極電流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏極導通電阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 16Ω/Ohm @10mA,2.5V
開啟電壓Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2158 is an N-channel vertical type MOS FET featuring an operating voltage as low as 1.5 V. Because it can be driven on a low voltage and it is not necessary to consider driving current, the 2SK2158 is suitable for use in low-voltage portable systems such as headphone stereo sets and camcorders. Features N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING Capable of drive gate with 1.5 V Because of high input impedance, there is no need to consider driving current Bias resistance can be omitted, enabling reduction in total number of parts
描述與應用 MOS場效應晶體管 N溝道MOS FET 高速開關 2SK2158是一個N溝道垂直型MOS場效應管,具有工作電壓低至1.5 V。由于它可以 一個低電壓驅動,這是沒有必要的,以考慮 2SK2158是驅動電流,適合用于在低電壓 立體聲耳機套和攝像機等便攜式系統。 特性 N溝道MOS FET高速開關 能夠用1.5 V驅動門 由于輸入阻抗高,也沒有必要考慮驅動電流 偏壓電阻可以省略,能夠減少部分總數
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型號 標記/絲印/代碼 廠家 批號 封裝 數量 描述 詳細資料
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